FGAF40S65AQ, FGAF40S65AQ IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
Кратность заказа 360 шт.
Добавить в корзину 360 шт.
на сумму 162 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for converter PFC stage of consummer and industrial applications.
Технические параметры
Channel Type | N |
Energy Rating | 325mJ |
Gate Capacitance | 2590pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 94 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-3PF |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 80А |
Power Dissipation | 94Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PF |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | onsemi |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-3PF-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 94 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 482 КБ
Datasheet FGAF40S65AQ
pdf, 685 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов