FGAF40S65AQ, FGAF40S65AQ IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

Фото 1/4 FGAF40S65AQ, FGAF40S65AQ IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
450 руб.
Кратность заказа 360 шт.
Добавить в корзину 360 шт. на сумму 162 000 руб.
Номенклатурный номер: 8020119750
Артикул: FGAF40S65AQ

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for converter PFC stage of consummer and industrial applications.

Технические параметры

Channel Type N
Energy Rating 325mJ
Gate Capacitance 2590pF
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 80 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 94 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Transistors 1
Package Type TO-3PF
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 80А
Power Dissipation 94Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-3PF
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: onsemi
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
Continuous Collector Current Ic Max: 80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Manufacturer: onsemi
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-3PF-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 94 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 482 КБ
Datasheet FGAF40S65AQ
pdf, 685 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов