FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 80А, [TO-247]

Артикул: FGH40N60SFDTU
Ном. номер: 9500050402
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 80А, [TO-247]
Фото 2/3 FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 80А, [TO-247]Фото 3/3 FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 80А, [TO-247]
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
320 руб. × = 320 руб.
от 10 шт. — 170 руб.
от 30 шт. — 130.98 руб.

Описание

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.5
Управляющее напряжение,В
5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+150
Корпус

Техническая документация

FGH40N60SFD
pdf, 806 КБ

Дополнительная информация

FGH40N60SFD, Field Stop IGBT 600V 40A FGH40N60SFDTU