Добавить к сравнению Сравнить ()

FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 80А, [TO-247]

Артикул: FGH40N60SFDTU
Ном. номер: 9500050402
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/2 FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 80А, [TO-247]
Фото 2/2 FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 80А, [TO-247]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
140 × = 140
от 25 шт. — 110 руб.
от 250 шт. — 107 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.5
Управляющее напряжение,В
5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+150
Корпус

Техническая документация

FGH40N60SFD
pdf, 806 КБ

Дополнительная информация

FGH40N60SFD, Field Stop IGBT 600V 40A FGH40N60SFDTU
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов