FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]

Фото 2/8 FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]Фото 3/8 FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]Фото 4/8 FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]Фото 5/8 FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]Фото 6/8 FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]Фото 7/8 FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]Фото 8/8 FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
Фото 1/8 FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
7005 шт. со склада г.Москва
260 руб.
от 15 шт.247 руб.
от 150 шт.240 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9110053254
Артикул: FGH40N60SMD
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-247
Дополнительные опции com, ess
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet - FGH40N60SM_F085
pdf, 1008 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FGH40N60SMD
Datasheet FGH40N60SMD
Datasheet FGH40N60SMD
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах