FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 970 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 970 руб.

Номенклатурный номер: 9000398071

Артикул: FGH40T120SMD

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

pdf, 1680 КБ

pdf, 517 КБ

pdf, 377 КБ

pdf, 501 КБ

pdf, 519 КБ

Мы рекомендуем

Технология/семейство	Field Stop, Trench
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Импульсный ток коллектора (Icm), А	160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	555
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	40
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	475
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Корпус	TO-247-3LD
Вес, г	7.5