FGH75T65SQDTL4, Транзистор IGBT 650В 75А [TO-247-4LD]
1 560 руб.
от 5 шт. —
1 370 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 560 руб.
Технические параметры
| Технология/семейство | Field Stop | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 150 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 300 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.6 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 375 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 44 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 296 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 | |
| Корпус | TO-247-4LD | |
| Вес, г | 6.289 |
Техническая документация
FGH75T65SQDTL4-D
pdf, 700 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
