FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]
![Фото 2/5 FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]](https://static.chipdip.ru/lib/667/DOC001667283.jpg)
![Фото 3/5 FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]](https://static.chipdip.ru/lib/641/DOC003641365.jpg)
![Фото 4/5 FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]](https://static.chipdip.ru/lib/092/DOC003092940.jpg)
![Фото 5/5 FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]](https://static.chipdip.ru/lib/520/DOC006520571.jpg)
![Фото 1/5 FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]](https://static.chipdip.ru/lib/978/DOC003978017.jpg)
137 шт. со склада г.Москва
540 руб.
от 15 шт. —
531 руб.
от 150 шт. —
по запросу
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
Технические параметры
| Технология/семейство | field stop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 225 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 750 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 24 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 136 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | to-247d03 |
| Структура | n-канал+диод |
| Управляющее напряжение,В | 5 |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
FGY75N60SMD
pdf, 636 КБ
Дополнительная информация
Datasheet FGY75N60SMD
Datasheet FGY75N60SMD
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Цена и наличие в магазинах
С этим товаром покупают
