Добавить к сравнению Сравнить ()

FGY75N60SMD, IGBT 600В 75А TO247

Артикул: FGY75N60SMD
Ном. номер: 9000119318
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 FGY75N60SMD, IGBT 600В 75А TO247
Фото 2/3 FGY75N60SMD, IGBT 600В 75А TO247Фото 3/3 FGY75N60SMD, IGBT 600В 75А TO247
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
400 × = 400
от 5 шт. — 370 руб.
от 50 шт. — 350 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.9
Управляющее напряжение,В
5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…175
Корпус

Техническая документация

FGY75N60SMD
pdf, 426 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FGY75N60SMD
FGY75N60SMD, Field Stop IGBT 600V 75A FGY75N60SMD
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов