FMMT558, Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 150 мА, 500 мВт, SOT-23, Surface Mount
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
63 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-150mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-200mV; Continuous Collector Current Ic Max:150mA; Current Ic Continuous a Max:150mA; Current Ic hFE:50mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:50MHz; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:558; Tape Width:8mm; Voltage Vcbo:400V
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 150mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 400V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@6mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@50mA, 10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 50MHz |
Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
Вес, г | 0.033 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 400 КБ
Datasheet FMMT558TA
pdf, 686 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов