FP10R12W1T4B3BOMA1, IGBT MODULE, 1.2KV, 20A, 105W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 490 руб.
от 5 шт. —
7 850 руб.
от 10 шт. —
7 110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 490 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 20А |
| DC Ток Коллектора | 20А |
| Power Dissipation | 105Вт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | EasyPIM Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 105Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 374.7 |
