FP10R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 20 А, 1.85 В, 105 Вт, 150 °C

FP10R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 20 А, 1.85 В, 105 Вт, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 490 руб.
от 5 шт.8 030 руб.
от 10 шт.7 460 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 490 руб.
Номенклатурный номер: 8975225787
Артикул: FP10R12W1T4BOMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и Модули
Модуль IGBT Trench Field Stop Трехфазный инвертор 1200 В, 20 А, 105 Вт Модуль для монтажа на шасси

Технические параметры

Base Product Number FP10R12 ->
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 600pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C
Package Bulk
Package / Case Module
Power - Max 105W
REACH Status REACH Unaffected
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 20 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 105 W
Number of Transistors 7
Вес, г 35.38

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»