FP15R12KE3GBOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 470 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 25А |
DC Ток Коллектора | 25А |
Power Dissipation | 105Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 105Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 563 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары