FP15R12KE3GBOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A

FP15R12KE3GBOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
13 470 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 13 470 руб.
Номенклатурный номер: 8206013815
Артикул: FP15R12KE3GBOSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 25А
DC Ток Коллектора 25А
Power Dissipation 105Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции EconoPIM 2
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 105Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3(Trench/Field Stop)
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 563 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»