FP25R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 39 А, 1.85 В, 175 Вт, 150 °C

Фото 1/2 FP25R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 39 А, 1.85 В, 175 Вт, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
12 850 руб.
от 5 шт.11 840 руб.
от 10 шт.11 560 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 850 руб.
Номенклатурный номер: 8541986333
Артикул: FP25R12W2T4B11BOMA1

Описание

Модуль IGBT Trench Field Stop Трехфазный инвертор 1200 В, 39 А, 175 Вт, модуль для монтажа на шасси

Технические параметры

Base Product Number FP25R12 ->
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 39A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.45nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case Module
Power - Max 175W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 39 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 175 W
Number of Transistors 7
Вес, г 54.43

Техническая документация

Datasheet
pdf, 678 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»