FP35R12KT4B15BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Seven Pack, 35 А, 1.85 В, 210 Вт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27 920 руб.
от 5 шт. —
25 560 руб.
от 10 шт. —
23 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 27 920 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 35 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode and NTC.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 35А |
| DC Ток Коллектора | 35А |
| Power Dissipation | 210Вт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | Seven Pack |
| Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 210Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 35 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Package Type | AG-ECONO2C-211 |
| Вес, г | 250 |
Техническая документация
Datasheet FP35R12KT4B15BPSA1
pdf, 828 КБ
