FQA13N50CF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 15 А, 0.43 Ом, TO-3PN

Фото 2/2 FQA13N50CF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 15 А, 0.43 Ом, TO-3PN
Фото 1/2 FQA13N50CF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 15 А, 0.43 Ом, TO-3PN
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
433 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели
410 руб.
350 руб.
от 10 шт.267 руб.
от 100 шт.198 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 350 руб.
Номенклатурный номер: 8003364457
Артикул: FQA13N50CF
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 500V N-Ch C-FET (FRFET)

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора TO-3PN
Рассеиваемая Мощность 218Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 500в
Непрерывный Ток Стока 15А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.43Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции QFET FRFET Series
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 15 A
Тип корпуса TO-3PN
Максимальное рассеяние мощности 218 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5мм
Высота 20.1мм
Размеры 15.8 x 5 x 20.1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.8мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 25 ns
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 130 ns
Серия QFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 480 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 500 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 43 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2055 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Id - непрерывный ток утечки 15 A
Pd - рассеивание мощности 218 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 480 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 100 ns
Время спада 100 ns
Высота 20.1 mm
Длина 16.2 mm
Другие названия товара № FQA13N50CF_NL
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение QFET
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 450
Серия FQA13N50CF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 130 ns
Типичное время задержки при включении 25 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-3PN-3
Ширина 5 mm
Base Product Number FQA1 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2055pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package TubeTube
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Power Dissipation (Max) 218W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 7.5A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series *
Supplier Device Package TO-3PN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 2

Дополнительная информация

Datasheet FQA13N50CF
Datasheet FQA13N50CF
Datasheet FQA13N50CF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах