FQD1N80TM, Nкан 800В 1А DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 30 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 0,63А, 45Вт, DPAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20 ом при 0.5а, 10в | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 0.75 | |
Корпус | dpak | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
1725743
pdf, 755 КБ
Документация
pdf, 1451 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов