FQD1N80TM, Nкан 800В 1А DPAK

Фото 1/3 FQD1N80TM, Nкан 800В 1А DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
30 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 30 руб.
Номенклатурный номер: 9000183741
Артикул: FQD1N80TM

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 0,63А, 45Вт, DPAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 20 ом при 0.5а, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 0.75
Корпус dpak
Пороговое напряжение на затворе 3…5
Вес, г 0.66

Техническая документация

1725743
pdf, 755 КБ
Документация
pdf, 1451 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов