FQP13N10, Транзистор N-MOSFET 100В 12.8А 65Вт [TO-220]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
309 шт. со склада г.Москва
110 руб.
от 100 шт. —
98 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12.8 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом/6.4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65 | |
Корпус | to-220 | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
FQP13N10
pdf, 289 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.