FQP13N10L, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 12.8 А, 0.142 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
310 руб.
от 100 шт. —
226 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 720 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The FQP13N10L is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
• 100% avalanche tested
• 8.7nC typical low gate charge
• 100pF typical low Crss
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.142Ом |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 12.8А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 65Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.142Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Вес, г | 4.234 |
Техническая документация
Datasheet FQP13N10L
pdf, 1092 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
