FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 52.4А [TO-220]

Артикул: FQP50N06
Ном. номер: 9000020541
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 52.4А [TO-220]
Фото 2/4 FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 52.4А [TO-220]Фото 3/4 FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 52.4А [TO-220]Фото 4/4 FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 52.4А [TO-220]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
56 руб. × = 56 руб.
от 10 шт. — 50 руб.
от 100 шт. — 48 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The FQP50N06 is a 60V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild's proprietary, planar stripe and DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. This device is well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction and electronic lamp ballast based on half bridge topology. This device is well suited for low voltage applications such as DC/DC converters, high efficiency switching for portable and battery operated products. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• Switching loss improvements
• Lower conduction loss
• 175°C Maximum junction temperature rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
2.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet FQP50N06
Datasheet FQP50N06
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов