Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FQP7P06, Trans MOSFET P-CH 60V 7A ...

FQP7P06, Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

200 руб.

Мин. кол-во для заказа 160 шт.

Добавить в корзину 160 шт. на сумму 32 000 руб.

Номенклатурный номер: 8002307980

Артикул: FQP7P06

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Описание Транзистор полевой FQP7P06 от производителя ONSEMI – надежный компонент для силовой электроники. Монтаж через отверстие (THT) обеспечивает прочное соединение с печатной платой. Ток стока достигает 7 А, что гарантирует отличную производительность в схемах средней мощности. Напряжение сток-исток в 60 В подходит для широкого спектра применений. Мощность в 45 Вт и сопротивление в открытом состоянии всего 0,41 Ом являются показателем высокой эффективности устройства. Корпус TO220 известен своей надежностью и удобством в использовании. Приобретая FQP7P06, вы получаете качественный N-MOSFET транзистор, способный удовлетворить потребности самых требовательных разработчиков. Используйте код FQP7P06 для поиска на сайте, чтобы быстро найти этот товар. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	7
Напряжение сток-исток, В	60
Мощность, Вт	45
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.41
Корпус	TO220

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	7 A
Maximum Drain Source Resistance	410 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	45 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	QFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	6.3 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Вес, г	1