FQU8P10TU, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 100 В, 6.6 А, 0.41 Ом, TO-251, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 100 шт. —
154 руб.
Добавить в корзину 12 шт.
на сумму 2 760 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.41Ом |
Power Dissipation | 44Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | QFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 6.6А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 44Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.41Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
Вес, г | 0.91 |
Техническая документация
Datasheet FQU8P10TU
pdf, 1409 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов