FQU8P10TU, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 100 В, 6.6 А, 0.41 Ом, TO-251, Through Hole

FQU8P10TU, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 100 В, 6.6 А, 0.41 Ом, TO-251, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 100 шт.154 руб.
Добавить в корзину 12 шт. на сумму 2 760 руб.
Номенклатурный номер: 8003131801
Артикул: FQU8P10TU

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.41Ом
Power Dissipation 44Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции QFET
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 6.6А
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 44Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.41Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-251
Вес, г 0.91

Техническая документация

Datasheet FQU8P10TU
pdf, 1409 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов