FS20R06VE3B2BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 25 А, 1.55 В, 71.5 Вт, 150 °C, Module
![FS20R06VE3B2BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 25 А, 1.55 В, 71.5 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/137/DOC035137036.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 410 руб.
от 5 шт. —
4 980 руб.
от 10 шт. —
4 730 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 410 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 600V, 25A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.55V; Power Dissipation Pd:71.5W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:-; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:Easy750 Series; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 25А |
| DC Ток Коллектора | 25А |
| Power Dissipation | 71.5Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
| Линейка Продукции | Easy750 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 71.5Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| Transistor Polarity | N Channel; DC Collector Current |
| Вес, г | 18.51 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 690 КБ
