FS50R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 75 А, 1.7 В, 270 Вт, 150 °C, Module
![Фото 1/2 FS50R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 75 А, 1.7 В, 270 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/431/DOC004431902.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 370 руб.
от 5 шт. —
20 810 руб.
от 10 шт. —
19 260 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 22 370 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 75А |
| DC Ток Коллектора | 75А |
| Power Dissipation | 270Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
| Линейка Продукции | EconoPACK 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 270Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 270 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | AG-ECONO2-6 |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Вес, г | 180 |
