GD100HHU120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, H Bridge, 160 А, 3.1 В, 638 Вт, 125 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
24 370 руб.
от 5 шт. —
22 850 руб.
от 10 шт. —
21 360 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 24 370 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 3.1В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 160А |
| DC Ток Коллектора | 160А |
| Power Dissipation | 638Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | H Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3.1В |
| Рассеиваемая Мощность | 638Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | NPT Ultra Fast IGBT |
| Вес, кг | 1.21 |
Техническая документация
Datasheet GD100HHU120C6S
pdf, 261 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
