GD400HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 630 А, 2 В, 2.083 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
26 350 руб.
от 5 шт. —
24 700 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 26 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 630А |
| DC Ток Коллектора | 630А |
| Power Dissipation | 2.083кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.083кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 4.54 |
Техническая документация
Datasheet GD400HFY120C2S
pdf, 188 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
