GD50FFY120C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 85 А, 1.7 В, 292 Вт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 8-10 недель
14 340 руб.
от 5 шт. —
13 310 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 340 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 85А |
| DC Ток Коллектора | 85А |
| Power Dissipation | 292Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Three Phase Full Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 292Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet GD50FFY120C5S
pdf, 228 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
