GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1 кА, 2 В, 3.409 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
40 610 руб.
от 5 шт. —
38 070 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 40 610 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 1кА |
| DC Ток Коллектора | 1кА |
| Power Dissipation | 3.409кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 3.409кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 2.27 |
Техническая документация
Datasheet GD600HFY120C2S
pdf, 307 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
