GD75FFX65C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 103 А, 1.45 В, 267 Вт, 150 °C

GD75FFX65C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 103 А, 1.45 В, 267 Вт, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 шт., срок 7-9 недель
14 570 руб.
от 5 шт.13 480 руб.
от 10 шт.13 240 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 570 руб.
Номенклатурный номер: 8006835283
Артикул: GD75FFX65C5S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.45В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 103А
DC Ток Коллектора 103А
Power Dissipation 267Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Three Phase Full Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.45В
Рассеиваемая Мощность 267Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 300

Техническая документация

Datasheet GD75FFX65C5S
pdf, 239 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.