HGT1S10N120BNST, БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов)
700 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
630 руб.
от 100 шт. —
493 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3; DC Collector Current:35A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.45V; Power Dissipation Pd:298W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 35(A) |
Configuration | Single |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature (Max) | 150C |
Operating Temperature (Min) | -55C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | D2PAK |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 2+Tab |
Rad Hardened | No |
Вес, г | 1.312 |
Техническая документация
Документация
pdf, 296 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов