HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]

Фото 2/3 HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]Фото 3/3 HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
Фото 1/3 HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
264 шт. со склада г.Москва
240 руб.
от 15 шт.232 руб.
от 150 шт.230 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 240 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 4827433803
Артикул: HGTG10N120BND
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Корпус TO-247-3

Технические параметры

Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 165
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 6.8
Вес, г 7.5

Техническая документация

HGTG10N120BND
pdf, 106 КБ

Дополнительная информация

Datasheet HGTG10N120BND
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах