HGTG10N120BND, IGBT транзистор

Артикул: HGTG10N120BND
Ном. номер: 4827433803
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/2 HGTG10N120BND, IGBT транзистор
Фото 2/2 HGTG10N120BND, IGBT транзистор
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
220 руб. × = 220 руб.
от 5 шт. — 160 руб.
от 50 шт. — 147 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Chip
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.45
Управляющее напряжение,В
6.8
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+150
Корпус

Техническая документация

HGTG10N120BND
pdf, 106 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов