HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

600 руб.

от 15 шт. — 555 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 4827433803

Артикул: HGTG10N120BND

Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

HGTG10N120BND Series 1200 V 35 A Flange Mount NPT N-Channel IGBT-TO-247

pdf, 106 КБ

pdf, 230 КБ

pdf, 436 КБ

С этим товаром покупают

Россия

230 руб.

ProsKit

600 руб.

Ersa

9 700 руб.

MEAN WELL

3 020 руб.

Тайвань

7 руб.

Мы рекомендуем

Технология/семейство	NPT
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	35
Импульсный ток коллектора (Icm), А	80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	165
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	to-247
Вес, г	7.5