IGOT60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 31 А, 0.07 Ом, 5.8 нКл, PG-DSO-20-87, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 050 руб.
от 5 шт. —
6 570 руб.
от 10 шт. —
6 010 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 050 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы на Основе Нитрида Галлия (GaN)
• 600V CoolGaN™ enhancement mode power transistor
• Enhancement mode transistor, normally OFF switch
• Ultra-fast switching
• No reverse recovery charge
• Capable of reverse conduction
• Low gate charge, low output charge, reduces EMI
• Superior commutation ruggedness
• Qualified for industrial applications according to JEDEC standards (JESD47 and JESD22)
• Improves system efficiency and power density
• Enables higher operating frequency, system cost reduction savings
Технические параметры
| Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
| On Resistance Rds(on) Max | 0.07Ом |
| Заряд затвора, типовой (Qg) | 5.8нКл |
| Количество Выводов | 20вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolGaN |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 31А |
| Стиль Корпуса Транзистора | PG-DSO-20-87 |
| Automotive | No |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Вес, г | 3.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 493 КБ
Документация
pdf, 531 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
