IMBG120R090M1HXTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 26 А, 1.2 кВ, 0.09 Ом, TO-263 (D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 440 руб.
от 5 шт. —
3 230 руб.
от 10 шт. —
3 060 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 440 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
CoolSiC™ MOSFETsInfineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltages classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter-set, which is used for the implementation of application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.09Ом |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | CoolSiC |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 26А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.09Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 4.7 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PG-TO263-7 |
| Part # Aliases: | IMBG120R090M1H SP004463788 |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
| Rise Time: | 3.1 ns |
| Series: | Trenchstop IGBT High Speed 3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | SiC |
| Tradename: | CoolSiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -7 V, +23 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1206 КБ
Datasheet IMBG120R090M1HXTMA1
pdf, 1257 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
