IMZ1AT108

Фото 1/2 IMZ1AT108
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
480 шт., срок 7-9 недель
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 51 шт.
Добавить в корзину 51 шт. на сумму 357 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8023150299
Бренд: Rohm

Описание

Описание Транзистор: NPN / PNP, биполярный, дополнительная пара, 50В, SC74 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.1 mm
Длина 2.9 mm
Другие названия товара № IMZ1A
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 120
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 560
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.15 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V, 7 V
Непрерывный коллекторный ток 150 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 140 MHz, 180 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия IMZ1A
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Ширина 1.6 mm
Base Product Number IMZ1AT108 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 180MHz, 140MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-74, SOT-457
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package SMT6
Transistor Type NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 150mA
Pd - Power Dissipation 300mW

Техническая документация

Datasheet IMZ1AT108
pdf, 55 КБ
Datasheet IMZ1AT108
pdf, 2080 КБ
Datasheet IMZ1AT108
pdf, 2902 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.