IPA70R450P7SXKSA1, N-Channel MOSFET, 10 A, 700 V, 3-Pin TO-220 FP IPA70R450P7SXKSA1

Фото 1/3 IPA70R450P7SXKSA1, N-Channel MOSFET, 10 A, 700 V, 3-Pin TO-220 FP IPA70R450P7SXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 руб.
210 руб.
Кратность заказа 15 шт.
Добавить в корзину 15 шт. на сумму 3 150 руб.
Номенклатурный номер: 8014558073
Артикул: IPA70R450P7SXKSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon 700V CoolMOS™ P7 series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 10 A
Maximum Drain Source Resistance 0.45 Ω
Maximum Drain Source Voltage 700 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220 FP
Pin Count 3
Series 700V CoolMOS™ P7
Transistor Material Si
Base Product Number IPA70R450 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.1nC @ 400V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 424pF @ 400V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max) 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 2.3A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 120ВµA
Drain Source On State Resistance 0.37Ом
Power Dissipation 22.7Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции CoolMOS P7
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 700В
Непрерывный Ток Стока 10А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 22.7Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.37Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FP
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов