IPA80R600P7XKSA1, MOSFET транзистор PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
от 10 шт. —
280 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
The Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | CoolMOS P7 |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1137 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
