IPD060N03LG, Транзистор N-MOSFET 30В 50A 56Вт [TO-252-3]

IPD060N03LG, Транзистор N-MOSFET 30В 50A 56Вт [TO-252-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4272 шт. со склада г.Москва
41 руб.
от 100 шт.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 41 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9001169198
Артикул: IPD060N03LG
PartNumber: UMW IPD060N03LG

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 5 мОм/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 56
Крутизна характеристики, S 67
Корпус dpak
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet IPD060N03L
pdf, 452 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.