IPD65R660CFDBTMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 6 А, 0.594 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD65R660CFDBTMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 6 А, 0.594 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1151 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
270 руб.
от 10 шт.206 руб.
от 100 шт.170 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 270 руб.
Номенклатурный номер: 8181030702
Артикул: IPD65R660CFDBTMA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TO-252 (DPAK)
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 650В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.594Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции CoolMOS CFD2 Series
Transistor Mounting Surface Mount
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet IPD65R660CFDBTMA1
pdf, 4464 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах