IPD65R660CFDBTMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 6 А, 0.594 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
390 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
350 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 730 руб.
Описание
| Производитель: | Infineon | |
| Категория продукта: | МОП-транзистор | |
| Технология: | Si | |
| Вид монтажа: | SMD/SMT | |
| Упаковка / блок: | TO-252-3 | |
| Упаковка: | Reel | |
| Торговая марка: | Infineon Technologies | |
| Высота: | 2.3 mm | |
| Длина: | 6.5 mm | |
| Тип продукта: | MOSFET | |
| Подкатегория: | MOSFETs | |
| Ширина: | 6.22 mm | |
| Другие названия товара №: | IPD65R660CFD SP000745024 | |
| Вес изделия: | 330 mg |
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
IPD65R660CFDBTMA1
pdf, 3102 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
