IPG20N04S408AATMA1, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 20 А, 0.007 Ом, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
470 руб.
от 100 шт. —
363 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 650 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
IPG20N04S4-08A, SP000938100
• OptiMOS® -T2 power transistor
• Dual N-channel normal level - enhancement mode
• Automotive AEC Q101 qualified
• 175°C operating temperature
• 100% avalanche tested
• Feasible for automatic optical inspection (AOI)
Технические параметры
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS T2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 65Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.007Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Qg - заряд затвора | 36 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.27 mm |
| Длина | 5.9 mm |
| Другие названия товара № | IPG20N04S4-08A SP000938100 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Ширина | 5.15 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0076 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SuperSO8 5x6 Dual |
| Pin Count | 8 |
| Series | IPG20 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 194 КБ
Datasheet IPG20N04S408AATMA1
pdf, 194 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
