IPG20N06S415AATMA1, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 20 А, 0.0129 Ом, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
370 руб.
от 100 шт. —
276 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 870 руб.
Описание
The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SuperSO8 5x6 |
Pin Count | 8 |
Вес, г | 0.013 |
Техническая документация
Datasheet IPG20N06S415AATMA1
pdf, 268 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов