IPL60R365P7AUMA1, MOSFET транзистор PG-VSON-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Описание MOSFET транзистор PG-VSON-4
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 46 W |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 310 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Другие названия товара № | IPL60R365P7 SP001606054 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | VSON-4 |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.365 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | ThinPAK 8x8 |
| Pin Count | 5 |
| Series | 600V CoolMOS P7 |
| Drain Source On State Resistance | 0.31Ом |
| Power Dissipation | 46Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 46Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.31Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | VSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 2A-4 недели |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IPL60R365P7AUMA1
pdf, 1269 КБ
Datasheet IPL60R365P7AUMA1
pdf, 1327 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
