IPP034NE7N3GXKSA1, Транзистор N-MOSFET 75В 100А [PG-TO-220-3]
![Фото 1/3 IPP034NE7N3GXKSA1, Транзистор N-MOSFET 75В 100А [PG-TO-220-3]](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330092.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 5 шт. —
406 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP034NE7N3GXKSA1 производства INFINEON – мощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT) с корпусом PG-TO220-3. Оснащен впечатляющим током стока в 100 А и напряжением сток-исток, достигающим 75 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 214 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0034 Ом, что обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях. Идеальный выбор для силовой электроники и высокотоковых применений. Продукт с артикулом IPP034NE7N3GXKSA1 гарантирует надежность и долговечность в работе. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 100 |
| Напряжение сток-исток, В | 75 |
| Мощность, Вт | 214 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0034 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0034 Ом/100А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 214 | |
| Корпус | to-220 | |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный | |
| Стиль Корпуса Транзистора | to-220 | |
| Рассеиваемая Мощность | 214Вт | |
| Полярность Транзистора | N Канал | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 75В | |
| Непрерывный Ток Стока | 100А | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.003Ом | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.1В | |
| Вес, г | 2.045 |
Техническая документация
Datasheet IPP034NE7N3
pdf, 837 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
