IPS60R360PFD7SAKMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 10 А, 0.303 Ом, TO-251 (IPAK), Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 100 шт. —
169 руб.
Добавить в корзину 11 шт.
на сумму 2 750 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор CONSUMER
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.303Ом |
| Power Dissipation | 43Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS PFD7 SJ |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 43Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.303Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251(IPAK) |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Qg - заряд затвора | 12.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 360 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IPS60R360PFD7S SP003965460 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Base Product Number | IPS60R360 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 534pF @ 400V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.9A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | CoolMOSв„ўPFD7 -> |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 140ВµA |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 643 КБ
Datasheet IPS60R360PFD7SAKMA1
pdf, 631 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
