IPW60R037CSFDXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 54 А, 0.031 Ом, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 200 руб.

от 5 шт. — 2 970 руб.

от 10 шт. — 2 790 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 200 руб.

Номенклатурный номер: 8001909984

Артикул: IPW60R037CSFDXKSA1

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

The Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS superjunction MOSFET is an optimized device tailored to address the off-board EV-charging market segment.

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.031Ом
Power Dissipation	245Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	CoolMOS CSFD
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	54А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	245Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.031Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	236 A
Maximum Drain Source Resistance	0.037 Ω
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	2
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Series	CoolMOS CSFD
Вес, г	2

pdf, 1026 КБ

Мы рекомендуем