IPW60R055CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 38 А, 0.046 Ом, TO-247, Through Hole

Фото 2/3 IPW60R055CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 38 А, 0.046 Ом, TO-247, Through HoleФото 3/3 IPW60R055CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 38 А, 0.046 Ом, TO-247, Through Hole
Фото 1/3 IPW60R055CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 38 А, 0.046 Ом, TO-247, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
99 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
1 680 руб.
от 5 шт.1 510 руб.
от 10 шт.1 340 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 680 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8000587530
Артикул: IPW60R055CFD7XKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора to-247
Рассеиваемая Мощность 178Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 600в
Непрерывный Ток Стока 38А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.046Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции CoolMOS CFD7 Series
Transistor Mounting Through Hole
Id - непрерывный ток утечки 38 A
Pd - рассеивание мощности 178 W
Qg - заряд затвора 79 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 27 ns
Время спада 5 ns
Другие названия товара № IPW60R055CFD7 SP001686062
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 240
Серия CoolMOS CFD7
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 98 ns
Типичное время задержки при включении 26 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Base Product Number IPW60R055 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3194pF @ 400V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 18A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series OptiMOSв„ў ->
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 900ВµA
Вес, г 0.426

Техническая документация

Datasheet
pdf, 277 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах