Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IPW60R055CFD7XKSA1, MOSFET HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1, MOSFET HIGH POWER_NEW

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 280 руб.

от 10 шт. — 2 000 руб.

от 25 шт. — 1 740 руб.

от 100 шт. — 1 447.46 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 280 руб.

Номенклатурный номер: 8005505349

Артикул: IPW60R055CFD7XKSA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	38 A
Pd - рассеивание мощности	178 W
Qg - заряд затвора	79 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	27 ns
Время спада	5 ns
Другие названия товара №	IPW60R055CFD7 SP001686062
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	240
Серия	CoolMOS CFD7
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	98 ns
Типичное время задержки при включении	26 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.046Ом
Power Dissipation	178Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	CoolMOS CFD7
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	38А
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	178Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.046Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	91