IR2101S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
170 руб.
от 10 шт. —
143 руб.
от 100 шт. —
124 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | драйвер |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Конфигурация | Half-Bridge | |
Тип входа | неинвертирующий | |
Корпус | SOIC-8(0.154 inch) | |
Время | затухания 50 нс | |
Выходной ток | спада пиковый 0.36 А | |
Количество | каналов 2 | |
Максимальное напряжение | смещения 600 В | |
Напряжение питания | 10…20 В | |
Рабочая температура | -40…+150 °С | |
Тип | управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IR2101(S)/IR2102(S) & (PbF)
pdf, 140 КБ
Using IR monolithic high voltage gate drivers
pdf, 356 КБ
Datasheet IR2101(S)-IR2102(S)
pdf, 138 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем