IR21271SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 1-OUT, High или Low-Side [SOIC-8]

Фото 2/6 IR21271SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 1-OUT, High или Low-Side [SOIC-8]Фото 3/6 IR21271SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 1-OUT, High или Low-Side [SOIC-8]Фото 4/6 IR21271SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 1-OUT, High или Low-Side [SOIC-8]Фото 5/6 IR21271SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 1-OUT, High или Low-Side [SOIC-8]Фото 6/6 IR21271SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 1-OUT, High или Low-Side [SOIC-8]
Фото 1/6 IR21271SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 1-OUT, High или Low-Side [SOIC-8]
Ном. номер: 9000369179
Артикул: IR21271SPBF
Производитель: Infineon Technologies
120 руб.
381 шт. со склада г.Москва
от 5 шт. — 115 руб.
от 50 шт. — 110 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Описание

Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 0, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 200 мА, Максимальный выходной ток спада 420 мА

Технические параметры

Конфигурация High-Side/Low-Side
Тип канала Один
Кол-во каналов 1
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 9…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.5
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 40
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Вес, г 0.15

Техническая документация

IR21271SPBF
pdf, 197 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IR21271SPBF
Datasheet IR21271SPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах