IR2133SPBF, Драйвер МОП-транзистора, 3-фазный мост, 10В-20В питание, 500мА и 70Ом выход, SOIC-28
см. техническую документацию
Описание
The IR2133SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Bridge Driver with three independent high-side and low-side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs, down to 2.5V logic. An independent operational amplifier provides an analogue feedback of bridge current via an external current sense resistor. A current trip function which terminates all six outputs can also be derived from this resistor. A shutdown function is available to terminate all six outputs. An open drain FAULT signal is provided to indicate that an over-current or under-voltage shutdown has occurred. Fault conditions are cleared with the FLT-CLR lead. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channels can be used to drive N-channel power MOSFETs or IGBTs in the high-side configuration which operates up to 600 or 1200V.
• Floating channel designed for bootstrap operation
• Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
• Under-voltage lockout for all channels
• Overcurrent shutdown turns OFF all six drivers
• Independent 3 half-bridge drivers
• Matched propagation delay for all channels
• 2.5V Logic compatible
• Outputs out of phase with inputs
Технические параметры
IC Case / Package | SOIC |
Задержка Выхода | 700нс |
Задержка по Входу | 750нс |
Количество Выводов | 28вывод(-ов) |
Количество Каналов | 6канал(-ов) |
Конфигурация Привода | 3-фазный Мост |
Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
Максимальное Напряжение Питания | 20В |
Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
Минимальное Напряжение Питания | 10В |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Стиль Корпуса Привода | SOIC |
Тип входа | Inverting |
Тип переключателя питания | MOSFET |
Ток истока | 250мА |
Ток стока | 500мА |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Pd - рассеивание мощности | 1600 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 150 ns |
Время спада | 70 ns |
Высота | 2.35 mm |
Выходное напряжение | 0.3 V |
Выходной ток | 200 mA |
Длина | 18.1 mm |
Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
Количество выходов | 6 Output |
Количество драйверов | 6 Driver |
Максимальное время задержки включения | 750 ns |
Максимальное время задержки выключения | 700 ns |
Напряжение питания - макс. | 20 V |
Напряжение питания - мин. | 10 V |
Особенности | Independent |
Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
Продукт | MOSFET Gate Drivers |
Рабочее напряжение питания | 625 V |
Рабочий ток источника питания | 100 uA |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Технология | Si |
Тип | High Side, Low Side |
Тип логики | CMOS, TTL |
Тип продукта | Gate Drivers |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SOIC-8 |
Чувствительный к влажности | Yes |
Ширина | 7.6 mm |
Automotive | No |
Bridge Type | 3-Phase Bridge |
Driver Configuration | Inverting |
Driver Type | High and Low Side |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
High and Low Sides Dependency | Independent |
Input Logic Compatibility | CMOS|LSTTL|2.5V(Min) |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Fall Time (ns) | 70 |
Maximum Operating Supply Voltage (V) | 20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1600 |
Maximum Rise Time (ns) | 150 |
Maximum Turn-Off Delay Time (ns) | 950 |
Maximum Turn-On Delay Time (ns) | 1000 |
Minimum Operating Supply Voltage (V) | 10 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Drivers | 6 |
Number of Outputs | 6 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 28 |
Peak Output Current (A) | 0.5(Typ) |
Pin Count | 28 |
PPAP | No |
Special Features | Current Sensing|Undervoltage Lockout |
Standard Package Name | SOP |
Supplier Package | SOIC W |
Type | IGBT|MOSFET |
Typical Input High Threshold Voltage (V) | 8.6 |
Typical Input Low Threshold Voltage (V) | 8.2 |
Brand | Infineon Technologies |
Configuration | Inverting |
Factory Pack Quantity | 50 |
Fall Time | 70 ns |
Features | Independent |
Height | 2.35 mm(Max) |
Length | 18.1 mm(Max) |
Logic Type | CMOS, LSTTL |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +125 C |
Maximum Turn-Off Delay Time | 700 ns |
Maximum Turn-On Delay Time | 750 ns |
Mounting Style | SMD/SMT |
Operating Supply Current | 100 uA |
Operating Supply Voltage | 625 V |
Output Current | 200 mA |
Output Voltage | 0.3 V |
Package / Case | SOIC-8 |
Pd - Power Dissipation | 1600 mW |
Product | MOSFET Gate Drivers |
Product Category | Gate Drivers |
Rise Time | 150 ns |
RoHS | Details |
Supply Voltage - Max | 20 V |
Supply Voltage - Min | 10 V |
Unit Weight | 0.019048 oz |
Width | 7.6 mm(Max) |
Package Type | 28-Lead SOIC |
Supply Voltage | 25V |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем