Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF1018ESPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK]

Артикул: IRF1018ESPBF
Ном. номер: 9000095554
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRF1018ESPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK]
Фото 2/5 IRF1018ESPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK]Фото 3/5 IRF1018ESPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK]Фото 4/5 IRF1018ESPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK]Фото 5/5 IRF1018ESPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK]
Есть в наличии 101 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
48 × = 48
от 25 шт. — 41 руб.
от 250 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF1018ESPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
8.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF1018EPBF Datasheet
pdf, 429 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF1018ESPBF
MOSFET N-ch HEXFET 60V 79A Data Sheet IRF1018ESPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов