IRF3205STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: IRF3205STRLPBF
Ном. номер: 8068782049
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF3205STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 В
Фото 2/3 IRF3205STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 ВФото 3/3 IRF3205STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 В
Доступно на заказ 145 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
160 руб. × = 800 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 139 руб.
от 100 шт. — 105 руб.

Описание

The IRF3205STRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
200Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
55В
Непрерывный Ток Стока
110А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.008Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IRF3205STRLPBF
IRF3205SPbF, IRF3205LPbF, HEXFET Power MOSFET