IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]
![Фото 1/3 IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]](https://lib.chipdip.ru/211/DOC001211886.jpg)
![Фото 2/3 IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]](https://lib.chipdip.ru/159/DOC002159180.jpg)
![Фото 3/3 IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]](https://lib.chipdip.ru/722/DOC001722853.jpg)
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
| 24 руб. | × | = | 24 руб. |
от 50 шт. — 22 руб.
от 500 шт. — 20 руб.
Цена и наличие в магазинах
Описание
The IRF510PBF is a third generation N-channel Power MOSFET is designed with the combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness.
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
Технические параметры
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
540
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
IRF510
pdf, 97 КБ
Дополнительная информация
Datasheet IRF510PBF
Datasheet IRF510PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
