IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]
![Фото 1/5 IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211886.jpg)
![Фото 2/5 IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/355/DOC003355038.jpg)
![Фото 3/5 IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/533/DOC002533549.jpg)
![Фото 4/5 IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921461.jpg)
![Фото 5/5 IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166244.jpg)
|
30 руб.
|
1832 шт. со склада г.Москва | |
|
от 15 шт. — 24 руб.
от 150 шт. — 23 руб.
|
||
|
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 30 руб.
|
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
Технические параметры
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
IRF510
pdf, 97 КБ
Дополнительная информация
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
