IRF510SPBF, МОП-транзистор, N Канал, 5.6 А, 100 В, 540 мОм, 10 В, 4 В

PartNumber: IRF510SPBF
Ном. номер: 8144655321
Производитель: Vishay
Фото 1/3 IRF510SPBF, МОП-транзистор, N Канал, 5.6 А, 100 В, 540 мОм, 10 В, 4 В
Фото 2/3 IRF510SPBF, МОП-транзистор, N Канал, 5.6 А, 100 В, 540 мОм, 10 В, 4 ВФото 3/3 IRF510SPBF, МОП-транзистор, N Канал, 5.6 А, 100 В, 540 мОм, 10 В, 4 В
Доступно на заказ 348 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
90 руб. × = 90 руб.
от 25 шт. — 72 руб.
от 100 шт. — 59 руб.

Описание

The IRF510SPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The D2PAK is a surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability in any existing surface-mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• -55 to 175°C Operating temperature range
• Ease of paralleling
• Surface-mount

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
43Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Непрерывный Ток Стока
5.6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.54Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IRF510SPBF
IRF510SPBF Data Sheet