IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]

Фото 2/5 IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]Фото 3/5 IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]Фото 4/5 IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]Фото 5/5 IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]
Фото 1/5 IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]
2321 шт. со склада г.Москва
39 руб.
от 15 шт.33 руб.
от 150 шт.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 39 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 45604
Артикул: IRF520NPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

The IRF520NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Dynamic dv/dt rating
• Fully avalanche rated
• Advanced process technology

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.2 ом при 5.7a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 48
Крутизна характеристики, S 2.7
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRF520N Datasheet
pdf, 122 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF520NPBF
Datasheet IRF520NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах